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비정질 실리콘 박막 트랜지스터 포화전압대 전류특성의 새로운 모델
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  • 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 포화전압대 전류특성의 새로운 모델
  • Fabrication and new model of saturated I-V characteristics of hydrogenerated amorphous silicon thin film transistor
저자명
이우선,김병인,양태환
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1993년|6권 2호|pp.147-151 (5 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I$_{D}$와 V$_{G}$의 실험결과에서 얻어지는 3가지 함수를 기본으로 모델화 되었다. 포화 드레인 전류는 V$_{G}$가 증가할수록 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 커질수록 증가되었으며 문턱전압은 감소됨을 보였다.