- $MgGa_{2-x}In_xSe_4$ 단결정을 이용한 광전반도체소자 제작과 그 특성 연구
- ㆍ 저자명
- 김형곤,김화택
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1993년|2권 1호|pp.65-72 (8 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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MgGa2-xInxSe4 single crystal을 bridgman technique로 성장시켰다. 성장된 단결정은 rhombohedral 구조를 가지고 있었으며, lattice constant는 a=3.950~4.070$AA$, c=38.89~39.50$AA$으로 주어졌고, 높은 photoconductivity를 가지고 있었다. 이 단결정의 energy gap은 2.20~1.90eV이었고, photoconductivity spectrum에 peak의 energy는 2.31~2.01eV로 주어졌으며, photoconductivity의 time constant는 0.24~0.34sec로 주어졌다.