- HWE 방법에 의한 ZnSe/ZnSe(bulk) 박막 성장
- ㆍ 저자명
- 신영진,정태수,신현길,김택성,정철훈,이훈,신영신
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1993년|2권 1호|pp.78-84 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Hot-Wall Epitaxy(HWE) 방법으로 ZnSe/ZnSe(bulk) 박막을 성장하였다. 이 때 사용되어진 ZnSe 기판은 승화법으로 증발부분의 온도를 $1160^{circ}C$ 성장부분의 온도를 $1130^{circ}C$로 하여 약 2주 동안 직경 20mm, 높이 18mm인 원추형의 ZnSe 단결정을 얻었다. 양질의 ZnSe 박막을 얻기 위한 조건은 증발부분의 온도는 $610^{circ}C$, 기판의 온도는 49$0^{circ}C$이었다. ZnSe(bulk) 기판위에 성장한 ZnSe 박막의 광발광에서는 강한 D-A pair emission과 Cu 불순물에 의한 녹색과 적색 발광이 관측되었고 SA 발광은 관측되지 않았다.