- Ge-GaAs 계면과 AlAs-GaAs 계면의 전자구조와 화학적 특성
- ㆍ 저자명
- 조화석,박진호,오영기,김민기
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1993년|2권 3호|pp.339-345 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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계면의 원자구조와 전자특성간의 상관성을 연구하기 위하여 GaAs-Ge(AlAs) 이종접합에서 전자의 국소상태밀도(LDOS)를 계산하였다. 본 연구에서는 tight-binding recursion 방법을 기초로 하여 계면의 국소상태밀도로부터 band-offsets, 계면형성에너지, 계면결합의 bond order 등을 연구하는 보다 편리한 방법을 제시하였다.