전자빔증착기를 이용하여 적외선영역에서 직접천이형 에너지갭을 갖는 III-V족 2원 화합물 반도체인 InSb 박막을 제작하여 전기, 자기적 특성을 조사하였다. 기판온도 $350^{circ}C$에서 증착된 박막을 $425^{circ}C$의 온도에서 30분 동안 아닐링한 박막은 In2O3 피크가 없어지고, InSb 피크만 나타났으며, 이대의 격자상수 $alpha$0는 $6.49AA$이었다. 기판온도 35$0^{circ}C$까지는 InSb 박막의 결정화가 일어나 전자 이동도가 증가하고 비저항은 감소하여다. 자계 0.5~9kG범위에서 van der Pauw 방법으로 홀효과를 측정하여 전기, 자기적 특성을 조사하였다. 최적의 조건에서 증착된 박막의 전도형은 n형이었고, 실온에서 캐리어 농도 및 이동도는 각각 2.55$ imes$1016cm-3, 2.83$ imes$104$ extrm{cm}^2$/V.sec이었다. 자계가 증가할수록 자계저항은 증가하였고, 9kG에서 자계저항은 1.98이었다.