$Si_3N_4$와 $SiO_2$ 박막을 고순도로 생장시키기 위하여 UHV-LCVD 장치를 제작하였다. 이 장치는 CVD 반응실, 시료주입 장치, 가스주입 장치, 광여기를 위한 레이저 창, 질량분석 장치로 구성되어 있다. UHV-LCVD는 low pressure, low vacuum CVD에 비해 제작상의 어려움이 따르나 초고진공 분위깅에서 반응 가스의 양을 정확히 조절하여 고순도의 박막을 제잘할 수 있었다.
UHV-LCVD system was constructed for high quality silicon nitride thin film fabrication. This system consisted of a reaction chamber, an introduction chamber with sample load lock entry, a carbinet for gas manipulation controlling gas flow, a $CO_2$ laser and a Fourier transform mass spectrometer. Although the UHV-LCVD system construction was more sophisticated than low pressure CVD, highly pure thin films were fabricated by controlling gas mixing ratio and flow rate in ultra high vacuum surroundings.
