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고속 광통신용 PIN-전치증폭기 수광모듈 제작 및 특성 측정
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  • 고속 광통신용 PIN-전치증폭기 수광모듈 제작 및 특성 측정
저자명
윤태열,박경현,송민규,황인덕,윤태열,유지범,정종민
간행물명
한국광학회지
권/호정보
1994년|5권 2호|pp.333-339 (7 pages)
발행정보
한국광학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

단일모드 광섬유를 부착한 고속 광통신용 PIN-전치증폭기 모듈을 GaInAs PIN 광검출기와 GaAs 전치증폭기를 하이브리드로 집적하여 제작하였다. PIN 광검출기의 정전용량은 0.35pF이었으며 이 소자의 수광직경은 $20{mu}m$였다. 제작된 수광모듈의 -3dB 차단주파수는 2GHz 이상이었으며 2.5Gbps NRZ$(PRBS=2^{23}-1)$ 입력광신호에 대해 비트오율이 $10^{-9}$일 때 -25.2dBm의 수신감도를 보였다.

기타언어초록

We fabricated a single mode fiber pigtailed PIN-preamplifier front-end receiver module for the high speed optical receiver. Hybrid method was used to integrate GaInAs PIN photodiode and transimpedance type GaAs preamplifier. The capacitance and the diameter of light receiving area of PIN photodiode were 0.35 pF and $20{mu}m$ respectively. The -3 dB cut-off frequency of PIN-preamplifier module was above 2 GHz, and the sensitivity of the module at 2.5 Gbps NRZ $(PRBS=2^{23}-1)$ signal was -25.2 dBm at $10^{-9}$ BER. > BER.