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Polyimide LB막내의 탄성 및 비탄성 tunneling 전기전도특성
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  • Polyimide LB막내의 탄성 및 비탄성 tunneling 전기전도특성
  • Elastic and inelastic electron tunneling characteristics in polyimide LB films
저자명
김태성,김현종
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1994년|7권 6호|pp.473-480 (8 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The electron tunnel effect in polvimide LB films sandwiched between metal electrodes has been investigated in the present work by a study of both the elastic and inelastic tunneling components. By the results of elastic tunneling experiments in Au/Pl/Au tunneling junction, we can judge the height and thickness of tunnel barrier. The inelastic current in Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy(IETS) is due to the interaction of the tunneling electron with the vibrational modes of the molecular species in the barrier. Measurements are done on Au/PI/Pb tunneling junctions. The spectra obtained are the second derivatives of the current-voltage characteristics of these junctions : specifically, d$^{2}$1/dV$^{2}$ as a function of voltage V. Because the energies measured by IETS can be directly compared to those measured by infrared and Raman spectroscopy, IR-RAS spectroscopy also measured for reference.