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$Cd_4GeSe_6$ 단결정의 deep level측정
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  • $Cd_4GeSe_6$ 단결정의 deep level측정
  • Measurement on the deep levels of $Cd_4GeSe_6$ single crystals
저자명
김덕태
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1994년|7권 6호|pp.504-510 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this work the crystal structure, optical absorption and photoluminescence of Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ single srystals grown by the vertical bridgman method are investigated. From the observed results of the PICTS, we proposed on energy band model which contains deep levels between the conduction band and the valence band. The energy band model permit us to explain the mechanism of the radiative recombination for the Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ single crystals.als.