초청정 실리콘 기판위에 동시증착(codeposition)하여 형성된 Ti silicide의 상전이와 표면 및 계면 형상을 조사하였다. UHV(UItra Highvaccum) 챔버에서 200$AA$Ti와 400$AA$ Si을 400-$800^{circ}C$로 가열한 실리콘 기판위에 동시증착하였다. XRD, SEM, TEM 으로 상전이와 계면 및 표면을 관찰하였다. 비교적 평편한 형상을 갖는 C49상은 $500^{circ}C$와 $600^{circ}C$에서 형성되었으며 응집화 현상은 관찰되지 않았다. $700^{circ}C$에서 형성된 C54는 표면과 계면의 형상이 거칠어졌다. 기판의 온도가 $800^{circ}C$로 증가할때 이런 현상은 더욱 뚜렷히 관찰되었다. $400^{circ}C$와 $500^{circ}C$에서 TiSi와 관련된 XRD peak가 관찰되었고, TEM사진에서 기판과 박막계면에 작은 결정들이 존재하는 것이 보이고 있다.
The phase transition and the surface and interface morphologies of $TiSi_2$ formed on atomically clean Si substrates are investigated. 200$AA$ Ti and 400$AA$ Si films on Si(ll1) have been codeposited at elevated temperatures (400~$800^{circ}C$) in ultrahigh vacuum. The phase transition of TiSiL is characterized with using XRD. The results distinguish the formation of the C49 and C54 crystalline titanium silicides. The surface and interface morphologies of titanium silicides have been examined with SEM and TEM. A relatively smootb surface is observed for the C49 phase while a rough surface and interface are observed for C54 phase. The islanding of the C54 phase becomes severe at high temperature ($800^{circ}C$). Islands of TiSiL have been observed at temperatures above $700^{circ}C$ but no islands are observed at temperatures below $600^{circ}C$. For films deposited at $400^{circ}C$ and 500%. weak XRD peaks corresponding to TiSi were observed and TEM micrographs exhibited small crystalline regions of titanium silicide at the interface.
