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컴퓨터 시스템에 의한 저온에서의 질소가스(G$N_2$)에 대한 방전특성측정
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  • 컴퓨터 시스템에 의한 저온에서의 질소가스(G$N_2$)에 대한 방전특성측정
저자명
이광식,주재현,이동인,김인식
간행물명
照明·電氣設備學會誌
권/호정보
1994년|8권 4호|pp.30-37 (8 pages)
발행정보
한국조명전기설비학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 연구는 전온하의 질소가스에서 구대 평판전극을 사용하여 온도변화([$0^{circ}C$]~[$80^{circ}C$]와 전극간 거리(d=1.0, 2.0, 3.0[mm])를 변환시켰 을 때의 방전트성을 연구하였다. 본 연구에서 얻은 중요한 결론은 다음과 같다. circled1 온도가 저하함에 따라 절연파괴전압(VB)은 상승한다. circled2 온도를 강하시킴에 따라 방전지속시간(t)이 길어진다. circled3 전극의 불평등성이 클수록 절연파괴전압(VB)의 온도의존성이 커진다. circled4 절연파괴 전계강도(EB)는 다음식으로 표현할 수 있다. 여기서, A, B 및 C는 상수이며 그 값은 다음표와 같다. EB=$AT^2$+BT+C(EB: 절연파괴 전계강도[kV/mm], T: 측정시의 온도[$^{circ}C$]).