질소 분위기에서 RTN에 이해 TiN/TiSi2 bilayer 형성에 미치는 RTN 온도, 시간, subst-rate doping 등의 영향을 연구하였다. 형성된 TiN/TiSi2 bilayer의 구조적 전기적 특성은 x-ray diffrac-tion(XRD) cross-sectional transmission electron microscopy(XTEM) Rutherford backscattering ？-ctrometry(RBS) x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 와 four point probe system 등을 이용하여 분석하였다. 형성된 TiN/TiSi2 bilayer의 구조는 RTN 처리시간보다 온도에 의존하는 성향이 더욱 강하 였다. Ti를 $400AA$ 증착한 시편의 경우 $600^{circ}C$ -30초 RTN 처리 후에 준안정상인 C49 TiSi2 가 형성되었 으나 $700^{circ}C$ 이상의 온도에서는 안정한 TiN/TiSi2 bilayer가 형성되었다. 이 TiN/TiSi2 bilayer는 1.6~1.9 $Omega$/$square$의 낮은 면저항값을 나타냈다. TiN/TiSi2 bilayer의 형성에는 BF2+영향은 거의 없었으며 As는 C49 상에서 C54상으로의 상전이를 억제하는 효과를 나타냈다 Al/TiN/TiSi2/Si contactrn조는 $550^{circ}C$ 30분까지 열적 안정성이 양호하였고 10%불산용액에서는 약 60초 1%불산에서는 180초까지 화학적으로 안정하였