확산 현상은 박막성장 과정 및 박막의 기계, 전기, 자기적 성질 이해에 중요한 역할을 한다. 열 처리에 의한 상호확산 때문에 생긴 Pd/Cu 다층박막의 조성변화를 AES depth-profiling 방법을 이용해 서 조사하였다. 열처리전 시료에서의 각형의 초기 조성분포가 여러온도에서의 열처리에 의해 정현파 모 양의조성분포로 변화되었다. 조성의존성을 고려하지 않은 상호확산 계수를 정현파 분포의 진폭으로부터 구하였으며, 1.66 eV의 값을 갖는 활성화에너지는 Arrhenius plot으로부터 산출하였다. 또한 Boltzmann-Matano 방법을 사용해서 15$0^{circ}C$에서의 조성의존 상호확산계수도 구하였다. 열처리에 의해 조 성균일화가 되는 것으로만 알려졌던 본물질계에서도 상분리가 생성됨을 관찰하였고, 그 열처리 조건은 $180^{circ}C$에서 150분 보다 짧아야함을 밝혔다.