MWPECVD법으로 CH3CHO-H2 계와 CH4-H2-O2 계로부터 Si 기판 위에 다이아몬드박막을 성장 시키고 성장된 박막을 SEM XRD 및 Raman 분광기로 평가하고 박막과 입자의 성장률을 조사하였다. 마이크로 판전력 950W 반응관압력 80torr 수소유량 200sccm 기판온도 95$0^{circ}C$ 및 CH3CHO농도 3.5%로 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 $4mu$m/hr가 되어고 12%<O2/CH3CHO<14%의 산소 농도에서 비다이아몬드상 탄소성분을 가장효과적으로 에칭할 수 있음을 추정할 수 있었다. 마이크로 전력 800W 반응관압력 80torr 수소 유량 80sccm 메탄농도 7% O2/CH4 농도 40% 및 기판온도 $960^{circ}C$로 Si기판 위에 5시간 성장시킨 다이아몬드의 박막성장율은 3.2$mu$m/hr가 되었다.