Si(111)-7x7 표면에 Sn을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED상 (pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot) 강도변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판오도를 $ 400^{circ}C$로 유지하면서 Sn을 증착시킬 때{{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} 구조가 관찰되었으며 기판온도 $200^{circ}C$ 이하에서는 증착량에 따라 {{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} }}, {{{{2 SQRT { 3} $ imes$2 SQRT { 3} }}, 구조들이 관찰되었다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-Sn {{{{ SQRT { 3}$ imes$ SQRT { 3} 서의 Sndnjs자의 이탈과정을 조사한 결과 이탈에너지는 $3.3pm$0.1 eV로 조사되었다.