- 원거리 플라즈마 화학증착에 의한 실리콘 산화막의 물성
- ㆍ 저자명
- 강진규,박영배,이시우
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1994년|3권 4호|pp.426-433 (8 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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원거리 플라즈마 화학증착 반응기에서 SiH4-N2O 로부터 산화막을 증착하고 막의 화학적 조성, 구조, 전기적인 특성 등을 평가하였다. 증착온도는 실온에서 35$0^{circ}C$사이의 저온이었다. 증착온도, 플라즈 마 전력, 반응기체의 조성 등이 막의 물성에 영향을 주는 것으로 나타났으며 나아가서는 산화막과 규소 -산화막 계면의 전기적인 특성에도 영향을 주었다. 높은 전력 및 SiH4-N2O 비에서 막의 물성이 나빠지 는 것으로 나타났으며 이 경우 막의 불순물 함량이 높고 또한 기상에서 입자가 형성되는 것이 관찰되었