30KV 전자빔리소그래피 장치를 사용하여 PMMA 3000$AA$/P(MMA/MAA) 6000$AA$의 이중구조에서 foot width 0.1$mu$m이하, head width 0.4$mu$m의 T-gate를 형성하였다. PMMA/P(MMA/MAA)/GaAS 구조에 대한 Monte Carlo 시뮬레이션 결과, 산란반경 0.1$mu$m에서 전방산란전자와 후방산란전자의 에너지 비는 19.5:1로 나타났다. 전자빔리소그래피 공정에 필요한 PMMA 및 P(MMA/MMA)의 열처리 조건, 설게 선폭에 대한 패턴감도를 구하였다. MIBK : IPA = 1 : 1 현상액에 대한 PMMA 및 P(MMA/MAA)의 감마값(gamma value)은 2.3이었다. 광 및 전자빔리소그래피 장치의 혼합사용(mix-and-match) 결과 층간정렬도 (alignment accuracy)는 0.1$mu$m(3$sigma$) 이하를 얻었다.
This art~cle reports on the formation of T - Gate with O.1$mu$m foot and 0.4$mu$m head width at PMMA/P( MMA/MAA) resist structure using a 30KV electron beam lithography system. From the result of Monte Carlo simulation on PMMA/P( MMA/MAA)/GaAs, we obtain the dissipation energy ratio of forwardscattered electron and backscattered electron within 0.1$mu$m scattering radius is 19.5 : 1 0.1$mu$m T - gate has been formed with 30KV gaussian electron beam at a 440$mu C/ extrm{cm}^2$ dosage. The gamma value of PMMA and P(MMA/MAA) at MIBK : IPA=l : 1 developer was 2.3. The overlay accuracy(3$sigma$) from mix-andmatch of optical stepper and Ekeam lithography system for fabricating HEMT device is accomplished below 0.1$mu$m.
