물성을 달리한 $alpha$-Si을 사용하여 MIM(Metal-Insulator-Metal)구조의 antifuse들을 제작하고, 물성의 변화에 따른 전기적 특성의 변화를 조사하였다. $alpha$-Si은 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방법으로 증착하였으며, 물성은 RF power를 달리하여 변화시켰다. $alpha$-Si MIM구조의 antifuse를 프로그램할 때 생기는 failure rate를 줄이기 위해 전극 사이에 삽입되는 $alpha$-Si의 contact hole 크기와 개수를 변화시켜 보았다. MIM antifuse는 contact hole이 2개 이상일 때 failure rate가 10% 이내로 줄었으며, 프로그래밍 전류는 거의 변화가 없었다. 항복전압은 10-11V범위에 집중적으로 분포하였으며, 5V에서의 누설전류는 contact hole의 수가 증가함에 따라 커짐을 알았다.