극소전자 디바이스의 고집적화에 의해 박막배선의 선폭은 0.5$mu$m 이하로 축소되고 있고, 이에 따른 현재 배선 물질인 AI, AI-alloy의 electromigration에 대한 결함 발생 및 noble metal보다 상대적으로 낮은 전기전도도에 대한 개선책이 시급하다. 따라서 고전기전도도를 갖고 electromigration에 대한 저항력이 큰 새로운 박막배선 물질 개발이 필요하다. 본 연구에서는 이에 부응하여 고전기전도도 특성을 갖는 물질인 Ag, Cu, Au와 기존의 AI에 대하여 $100mu$m의 선폭과 0.5cm의 길이를 갖는 박막 배선을 제작하여 d.c.인가와 분위기 온도에 따른 도체수명특성을 조사하고 이를 이용하여 활성화 에너지를 계산하여 극소전자 디바이스를 위해 박막 배선 물질이 갖는 electromigration에 대한 저항성을 제시한다. 각 물질은 5000$AA$</TEX>의 두께를 갖는 SiO2층위에 $500AA$의 두께로 증착되었고 Ag, Cu 박막배선에는 2X106 A$ extrm{cm}^2$, AI과 Au 박막배선에는 6X106 $A extrm{cm}^2$의 전류밀도를 인가하였고 활성화에너지를 구하기 위해 실온에서 240$^{circ}C$</TEX>까지의 분위기 온도에서 측정하였다. 활성화에너지는 Cu가 1.33 eV로 가장 높게 나타났고 Au가 1.01eV, Ai이 0.71eV, Ag가 0.30eV로 측정되었다. 따라서 Cu와 Au 박막배선의 경우 electromigration에 대한 저항력이 강한 고활성화에너지 특성을 갖는 고전기전도도재료로서 차세대 극소전자 디바이스를 위한 초고집적회로 박막배선재료로서 제시된다. 0