W(210)면의 질소 흡착에 의한 일함수의 변화, heat of desorption 및 흡착 site에 대하여 조사하였다. 텅스텐(210)면에 질소가 흡착될 때 흡착율에 따라 일함수는 증가하다가 최대 변화량 0.29eV에서 포화되었다. TDS결과로부터 이 면은 진소에 대하여 적어도 3개의 흡착 site가 있음을 알았고 high dose에서 흡착되는 $eta$1 state까지 포함하면 모두 4개의 흡착 site 가 있으며 이 흡착 site들 중 $alpha$1 state를 제외하고는 모두 일함수를 증가시키는 site임을 알았다. 질소는 W(210)면의 step((100)면)과 terrace((110)면)의 중 step에 흡착되고 독립된, 즉 무한히 큰 W(100)면의 $alpha$1, $alpha$2, 그리고 $eta$2 state에 대응되는 흡착 site에 흡착된 질소의 dipole moment의 방향은 W(210)면의 step((100)면의 일부)의 $alpha$1, $alpha$2, 그리고 $eta$2 state에 대응되는 흡착 site에 흡착된 질소의 dipole moment의 방향과 반대방향임을 알았다.