저압 유기금속 화학증착법(LP-MOCVD)을 이용하여 76Torr에서 InP 에피층을 성장하였다. 본 연구에서의 최적성장조건은 성장온도 $600-<620^{circ}C$, PH3/TMIn 비 200 부근이며, 이때 깨끗한 표면을 가지고 전자이동도가 최대값을 가지는 에피층이 성장되었다. 최적 성장 조건에서 성장시킨 가장 우수한 에피층의 경우, 77K에서 1.7X1014/㎤의 낮은 전자농도와 MOCVD방법으로 보고된 값들 중 매우 높은 전자이동도인 $138,000cm^2$/Vsec의 값을 얻을 수 있었다. 성장온도, TMIn 유량, PH3 유량에 따른 성장속도의 변화로부터 본 연구에서 성장이 이루어진 $520$~$720^{circ}C$의 온도범위는 경계층을 지나는 TMIn의 확산속도에 의해 성장속도가 결정되는 영역임을 확인하였다. 성장온도와 PH3/TMIn 비를 성장변수로 하여 InP 에피층의 표면형상과 전기적 특성의 변화를 관찰하였고, 그 결과 전기적 특성의 변화는 표면형상의 변화와 그 경향성이 대부분 일치하였고, 이로부터 표면열화와 관련된 분순물의 유입을 가능한 불순물 유입의 경로로 제시하였다.