COG용 Solder Bump 제작을 위한 Ni 무전해 도금 공정에 관한 연구

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기타언어초록

LCD 모듈을 위한 실장 기술인 Chip on Glass 공정 기술을 개발함에 있어 구동 IC와 기판d의 Al 전극을 연결하기 위하여 기존의 기술과의 연관성 및 공정의 연속성, 제조단가등을 고려하여 Pb-Sn 범프를 사용하고자 하였으며 이를 위해 Al 금속 박막위에 니켈 무전해 도금하는 방법을 연구 하였다. Al 전극에 무전해 니켈 도금하기 위해서는 광레지스트 차폐막을 손상하지 않는 전처리 방법이 필요하기 때문에 전처리 방법으로서 알칼리 아연산염 처리법과 불화물을 이용한 아연산염 처리법을 선택하여 실시하였다. 이 가운데 산성불화암모늄(NH$_4$HF)을 1.5 g/$ell$ 함유하고 황산아연(ZnSO$_4$)을 100 g/$ell$ 함유한 산성 아연산염 용액에서는 광레지스트 차폐막이 손상되지 않았으며 처리시간을 적절히 조절함으로써 알루미늄 박막상에 선택적으로 니켈 무전해 도금을 할 수 있었다. 아연산염 응액중의 첨가제와 무전해 도금액 중의 억제제인 Thiourea는 도금층의 평활도를 높이는 역할을 하였다. 또한 아연산염 처리를 하기 전에 산세 처리를 함으로써 도금층의 균일성을 향상시킬 수 있었다.

기타언어초록

To connect the driver IC and Al coated glass, a method has been developed to plate electrolessly Ni on Al/PR system. It Is necessary to pretreat Al to remove oxide film before plating. In order to find pretreatment process which does not damage photoresist or glass, alkaline and fluoride zincate process have been investigated. Because photoresist and aluminum thin film can easily dissolve in alkaline solution, it is considered that the fluoride zincate process was a suitable one. After immersion in the zincate solution containing 1.5 g/$ell$ ammonium bifluoride and 100 g/$ell$ zinc sulfate, electroless nickel plating could be performed. The additive in the zincate solution and thiourea in the plating solution increased smoothness of the plated surface. Acld dip could improve the uniformit of the surface.

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