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실리콘 압저항 압력센서의 오프셋 및 온도 드리프트 개선
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  • 실리콘 압저항 압력센서의 오프셋 및 온도 드리프트 개선
저자명
김재문,이영태,서희돈,최세곤,Kim. Jae-Mun,Lee. Young-Tae,Seo. Hee-Don,Choi. Se-Gon
간행물명
센서학회지
권/호정보
1996년|5권 3호|pp.17-24 (8 pages)
발행정보
한국센서학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

이 논문은 압력센서의 압저항 소자 값에 영향을 미치는 실리론 박막의 잔류응력과 4개 저항의 특성 차에 의해 발생하는 오프셋과 온도 드리프트 특성을 보상하기 위하여 2중 브리지구조의 압력센서에 대하여 연구한 것이다. 압력 변화에 무관한 브리지회로의 각 저항 소자를 압력 변화를 감지하는 브리지회로의 각 저항 소자 가까이 배치하여 각 브리지회로의 출력을 감산하므로 오프셋과 온도 드리프트를 소자내부에서 제거하는 것이다. 이 방법에 의해 오프셋과 온도 드리프트 성분의 약 95%가 제거되었다. 제작된 압력센서의 감도는 $0.9;kgfcm^{-2}$ full-range에 대해서 $11.7;mV/Vkg/cm^{-2}$ 이었다.

기타언어초록

In order to reduce the offset and its temperature drift by the different properties of the piezoresistors and the residual stress of the piezoresistive pressure sensor, a double Wheatstone-bridge pressure sensor was studied. Because the compensation bridge was arranged near by the pressure sensitive bridge, which have the similar offset component, reduction of the offset and its temperature drift was realized by the mathematical subtraction of the output of two bridges. It was configured the compensation of the offset and its temperature drift. By this compensation method, the offset and its temperature drift were reduced approximately 95% respectively. The sensitivity of the fabricated pressure sensor was $11.7;mV/Vkg/cm^{-2}$ for $0.9;kgfcm^{-2}$ full-scale pressure range.