- 전위 장벽에 대한 전자의 터널링 시간의 시뮬레이션
- ㆍ 저자명
- 이욱,이병호
- ㆍ 간행물명
- 電氣學會論文誌
- ㆍ 권/호정보
- 1996년|45권 1호|pp.159-163 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 대한전기학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Simulated electron tunneling time through a potential barrier is compared with theoretical phase time. For a GaAs/Al0.3Ga0.7As/GaAs potential barrier with 300 meV height and 3 nm or 5 nm width, simulations are performed with various average electron energies and momentum deviations. The simulation results become closer to the theoretical phase time as the average electron energy decreases and as the momentum deviation decreases. It is also shown that a barrier, which is due to the peak spectrum shift in the momentum space after tunneling. (author). refs., figs.