본 연구에서는 수직형 LPE방법으로 제작된 InGaAsP/ImP RWG(Ridge Waveguide) MQW(Mutiple Quantum Well)-LD(Laser diode)의 광학적 특성을 조사하여 제작된 LD의 특성과 설계결과를 비교 분석하였다. 광학적 특성 분석결과 제작된 LD가 설계된 데로 측방향 단일모드로 동작하였으며 내부양자효율은 77%, 내부손실은 18$cm^{-1}$ /, 발진파장의 온도특성은 5.5.angs./C.deg.로 나타났다. 이러한 결과들로부터 수직형 LPE방법으로 성장된 에피층의 특성과 MQW의 계면특성이 아주 양호하다는 것을 알 수 있었으며 제작된 RWG MQW-LD의 특성도 양호함을 알 수 있었다.
In this study the evaluation of RWG MQW-LD fabricated with our vertical LPE system has been carried out with measuring its optical characteristics. This laser diode operated in lateral single mode as designed, and it showed 77% of internal quantum efficiency, 18cm of internal loss and 5.5$AA$/$^{circ}C$ of the thermal characterictic of the lasing wavelength. From these results we conclude that the vertical LPE system are fairly good and it might he useful to fabricate MQW wafer for laser diode.
