- 자기정렬공정에 의한 GaAs/AlGaAs 광위상변조기의 제작 및 특성 측정
- ㆍ 저자명
- 김병성,정영철,변영태,박경현,김선호,임동건
- ㆍ 간행물명
- 한국광학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1996년|7권 3호|pp.287-294 (8 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국광학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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MOCVD(metal-organic chemical vapour deposition)방법으로 성장시킨 이중 이종접합구조 GaAs/AlGaAs 웨이퍼를 이용하여 광위상변조기를 제작하였다. 제작과정에서 도파로와 절연층의 형성시 동일 포토레지스트 패턴을 이용하는 자기종렬공정을 개발하여 그 효용성을 입증하였다. Fabry-Perot 간섭법을 이용하여 변조기의 위상변조효율을 측정하였으며 1.31.mu.m파장에서 TE 편광의 경우 22.5.deg./Vmm의 위상변조특성을 얻었다.
An optical phase modulator is fabricated in GaAs/AlGaAs doble heterostructure wafer grown by MOCVD. A self-aligned process, in which the same photoresist pattern is used for both the waveguide etching and the insulation layer formation, is developed and is found to be very useful, Fabry-Perot interference technique is applied to the measurement and the phase modulation efficiency is measured to be 22.5$^{circ}$/Vmm at 1.31 ${mu}{ extrm}{m}$ for TE polarization.