기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
InGaAsP/InP RWG MQW-LD의 최적 설계
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • InGaAsP/InP RWG MQW-LD의 최적 설계
저자명
하홍춘,오수환,이석정,박윤호,오종환,홍창희
간행물명
한국광학회지
권/호정보
1996년|7권 4호|pp.375-385 (11 pages)
발행정보
한국광학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

본 연구에서는 InGaAsP/InP RWG MQW-LD를 제작하기 앞서 이론해석으로부터 RWG MQW-LD의 도파로규격에 따른 측방향 유효굴절율차와 index-guided LD로 동작하는 임계 유효굴절율차의 값, 그리고 이러한 굴절율차에 따른 측방향에서의 단일모드 발진조건과 임계전류를 최소로 하기 위한 ridge 폭을 구하여 도파로를 설계하였다. 이론해석으로 부터는 순수한 index-guided LD로 동작하기 위한 측방향 임계 유효굴절율차 값은 일반적인 bulk층 보다는 약 2배 정도 큰 값인 약 0.015이었으며 도파로 설계에 있어서는 유효굴절율차가 0.015이며 측방향단일모드로 동작하기 위해서는 ridge 폭은 약 4.mu.m이하가 되어야 함을 알 수 있었다. 그리고 이때 임계전류값이 최소가 됨을 지적하였다.

기타언어초록

Recently interest in the fabrication of LD operated by low current is gradually increasing as fabrication techniques of MQW-LD are progressed. In this viewpoint, theoretical estimation for decreasing the amount of threshold current will be helpful to design and make LD in case that active layer of conventional bulk type RWG-LD structure is replaced with MQW structure. Therefore, the optimum design condition of RWG MQW-LD was obtained from theoretical analysis in order to operate in the weakly index-guided LD and low threshold current. The lateral effective index step has been obtained in RWG MQW-LD structure. Waveguide mechanism including this index step has been investigated by solving the carrier diffusion equation and lateral wave equation. From these theoretical results, the optimum design condition of RWG MQW-LD have been suggested.