- 반응성 sputtering법으로 제막된 ZnO : Al 박막의 전기.광학적 특성에 미치는 열처리의 영향
- ㆍ 저자명
- 유세웅,유병석,이정훈
- ㆍ 간행물명
- 한국결정성장학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1996년|6권 4호|pp.493-500 (8 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국결정성장학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Al이 2 wt% 포함되어 있는 Zn 금속타겟을 사용하여 반응성 직류 magnetron sputtering법으로 AZO(Aluminum doped zinc oxide) 투명전도막을 제조한 후 열처리함에 따라 변하는 박막의 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 전이영역에서 증착된 막들은 비저항이 50 % 정도 감소하여 $1{ imes}10^{-3}~3.5{ imes}10^{-4};{Omega}cm$로 전기적 특성이 향상되었으며, 높은 산소분압에서 산화물로 증착된 막의 비저항이 증착직후에는 $10^{3};{Omega}cm$였으나 열처리 후에는 $2{ imes}10^{-3};{Omega}cm$로 감소하였다. 또 전이영역에서 증착된 막은 증착직후 59.4 %이던 평균투과율이 $400^{circ}C$, 30분 열처리 후에는 77.4 %까지 향상되었다.
AZO transparent conducting thin films were fabricated by reactive DC magnetron sputtering method using Zn metla target containing 2 wt% of Al, and electrical and optical properties were investigated after heattreatment. Electrical resistivity was reduced 50% and had reached $1{ imes}10^{-3}~3.5{ imes}10^{-4};{Omega}cm$ by heat treatment. In the case of oxide AZO films, the resistivity of $10^{3};{Omega}cm$ was also decreased to $2{ imes}10^{-3};{Omega}cm$ after heat treatment. The optical transmittance of AZO films deposited in the transition range was increased from 59.4 % to 77.4 % by $400^{circ}C$, 30 min heat treatment.