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$Cd_4GeSe_6$ 및 $Cd_4GeSe_6:Co^{2+}$ 단결정의 광전도도 특성
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  • $Cd_4GeSe_6$ 및 $Cd_4GeSe_6:Co^{2+}$ 단결정의 광전도도 특성
  • Photoconductivity spectra of undoped and co-doped $Cd_4GeSe_6$ single crystals
저자명
김덕태
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1996년|9권 2호|pp.152-158 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Optical absorption and photoconductivity spectra of undoped and Co-doped Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ single crystals, grown by the chemical transport reaction using iodine as a transporting agent, were investigated. At 20K, the optical energy gaps of the single crystals are 1.934eV for Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ and 1.815eV for Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ :Co$^{2+}$. The photoconductivity spectra of these single crystals were closely investigated over the temperature range 20-290K. At 20K, the photoconductivity peaks were located at 1.797eV, 1.347eV for Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ and 1.815eV, I,.57eV, 1.46eV and 1.38eV for Cd$_{4}$GeSe$_{6}$ :Co$^{2+}$, respectively.ely.