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EMMI(Emission Microscope)와 FIB(Focused Ion Beam)를 이용한 Thin Oxide 불량분석
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  • EMMI(Emission Microscope)와 FIB(Focused Ion Beam)를 이용한 Thin Oxide 불량분석
ㆍ 저자명
박진성,이은구,이현규,이우선,Park. Jin-Seong,Lee. Eun-Gu,Lee. Hyeon-Gyu,Lee. U-Seon
ㆍ 간행물명
한국재료학회지
ㆍ 권/호정보
1996년|6권 6호|pp.605-609 (5 pages)
ㆍ 발행정보
한국재료학회
ㆍ 파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

MOS 소자의 얇은산화막(thin oxide)불량을 화학적으로 식각하지 않고 불량부위를 광전자방사(photon emission)반응을 이용하여 위치를 확인하고, 이곳을 FIB로 절단하여 불량부위의 단면을 관찰했다. 20nm 두께의 SiO2불량은 셀(cell)영역의 위치에 따른 의존성은 없고, 불량은 저전계의 입자(particle)성 불량과 중간전계의 Si 기판 핏(pit)과 관련된 불량이 주였다. 고전계에서는 전형적인 SiO2 산화막의 절연파괴가 일어난 것이 관찰된다.

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