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Cu/$CoSi_2$ 및 Cu/Co-Ti 이중층 실리사이드의 계면반응
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  • Cu/$CoSi_2$ 및 Cu/Co-Ti 이중층 실리사이드의 계면반응
ㆍ 저자명
이종무,이병욱,김영욱,이수천,Lee. Jong-Mu,Lee. Byeong-Uk,Kim. Yeong-Uk,Lee. Su-Cheon
ㆍ 간행물명
한국재료학회지
ㆍ 권/호정보
1996년|6권 12호|pp.1192-1198 (7 pages)
ㆍ 발행정보
한국재료학회
ㆍ 파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
ㆍ 주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

배선 재료나 salicide 트랜지스터에 적용될 것으로 기대되는 Cu 배선과 Co 단일층 및 Co/Ti 이중층을 사용하여 형성된 코발트 실리사이드간의 열적 안정성에 대하여 조사하였다. 40$0^{circ}C$열처리후 Cu3Si 막이 CoSi2층과 Si 기판 사이에 형성되었는데, 이것은 Cu 원자의 확산에 기인한 것이다. $600^{circ}C$에서의 열처리 후에 형성된 최종막의 구조는 각각 Cu/CoSi2/Cu3Si/Si과 TiO2/Co-Ti-Si 합금/CoSi2/Cu3Si/Si였으며, 상부에 형성된 TiO2층은 산소 오염에 의한 것으로 밝혀졌다.

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