- 입방형 탄화규소 박막의 적층 성장
- ㆍ 저자명
- 이경원,유규상,구수진,김창균,고원용,조용국,김윤수
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1996년|5권 2호|pp.133-138 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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단일 선구물질인 1, 3 -디실라부탄을 사용하여 고진공 하의 온도 영역 900-$1000^{circ}C$에서 탄화규소 환충층이 형성된 Si(001) 기질 위에 입방형 탄화규소 박막을 적층 성장시켰다. 얻어진 탄화규소 박막의 화학량론적 비, 양질의 결정성 및 표면형태의 특성을 반사 고에너지 전자 회절, Xtjs 광전자 분광법, X선 회절, Xtjs 극접도, 주사 전자 현미경 및 투과 전자 현미경으로 확인하였다. 이들 결과로부터 단일 선구물질인 1, 3-디실라부탄이 입방구조를 가지는 탄화규소 박막의 적층 성장에 적절한 물질임을 밝혔다.
Epitaxial cubic silicon carbide films have been deposited on carbonized Si(001) substrates using the single precursor 1, 3-disilabutane in the temperature range 900-$1000^{circ}C$ under high vacuum conditions. The films grown were characterized by in situ RHEED, XPS, XRD, x-ray pole figure, SEM, and TEM. The results show that epitaxial cubic SiC films with smooth morphology and good crystallinity were formed in this temperature range. The single precursor 1, 3-disilabutane has been found suitable for the epitaxial growth of cubic SiC on Si(001) substrates.