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고정밀 MOSFET 문턱전압 추출회로 설계
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  • 고정밀 MOSFET 문턱전압 추출회로 설계
저자명
하장용,전석희,박종태,유종근
간행물명
한국통신학회논문지
권/호정보
1996년|21권 12호|pp.3246-3255 (10 pages)
발행정보
한국통신학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

A threshold voltage extraction scheme which does not need matched replica of the MOSFET under test is proposed. In contrast to alternative methods, the accuracy of the proposed scheme does not depend on the matching of the test transistors. The proposed scheme has been implemented in a matching-free way using a switched-capacitor subtracting ampliier and a dynmic current mirror. Nonideal effects associated with these circuits, such as non-zero offset voltages and finite gains of op-amps, capcitor mismateches, and charge injection of MOS switches, are investigated and compensated. The circuit has been designed using ISRC 1.5.mu.m CMOS process parameters andfabricated at Inter-University semiconductor Research Center, and its performance has been evaluated.