GaN와 NH3를 source gas로 사용하여 (0001) sapphire 기판에 CVPE(Chloride Vapor Epitaxy)방법으로 GaN 박막을 성장시킨후 그 특성을 조사하였다. 성장온도 970℃ 부터 1040℃ 영역에서 source gas의 유량비를 변화하면서 최적증착조건을 구현하였고, GaN증착이전에 NH3 가스로써 질화전처리를 하였다. 수행된 실험조건범위내에서 최적증착조건은 증착온도 1040℃에서 질화전 처리 3분으로 III/V source gas의 유량비율이 2일 때 였으며, 이때의 XRD분석에서의 FWHM값은(0001) peak에서 약 0.32deg를 나타내었다. GaN박막성장속도는 이때 약 40μm/hr 였다.
We investigated the CVPE grown of GaN thin films on (0001) sapphire using the GaCl3 and NH3 as source gases. The growth temperatures are ranged 970 to 1040℃ with the various flow rate ratio of source gases. The nitridation treatment was performed using the NH3 gas before the GaN deposition. The optimal growth conditions were determined to be; growth temperature of 1040℃, III/V flow rate ratio of 2, nitridation time of 3 min. The FWHM at the (0002) peak from the XRD analysis was shown to be 0.32 deg. for the sample grown under those conditions. The growth rate was about 40μm/hr at 1040℃
