- 10 Gb/s 급 광통신용 1.55$mu$m SI-PBH DFB-LD의 제작 및 특성연구
- ㆍ 저자명
- 김형문,김정수,오대곤,주흥로,박성수,송민규,곽봉신,김홍만,편광의
- ㆍ 간행물명
- 한국광학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1997년|8권 4호|pp.327-332 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국광학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
2단계 메사 식각 공정과 유기 금속 화학 증착방법으로 높은 비저항을 갖는 Fe-도핑된 반절연 InP층의 전류 차단층을 갖는 10 Gb/s 광통신용 초고속 1.55.mu.m 궤환형 반도체 레이저 다이오드를 제작하였다. 제작된 DFB-LD의 특성은 발진 임계전류~15 mA, slope efficiency ~0.13 mW/mA, 동 저항 ~6.0.OMEGA.이었고, 발진 파장은 1.546 .mu.m이며, 6 Ith까지의 전류에도 인접 모우드 억압비, SMSR>40dB 이상 (CW상태)으로써 안정된 단일 모우드 동작을 보였다. DFB-LD의 소신호 주파수 특성으로 27 mA의 작은 구동전류에서 이미 -3dB 대역폭이 10 GHz에 도달하였음을 보여주었고, 또한 최대 -3dB 대역폭으로 구동전류 90 mA에서 ~18 GHz까지 얻는 우수한 소신호 주파수 특성을 보여주었다. 10 Gb/s DFB-LD 모듈 전송시험에 있어서, 1.55.mu.m 파장의 레이저 다이오드 모듈로 일반 단일모우드 광섬유와 분산천이 광섬유에 대해서 전송시험한 결과 에러평탄면(error floor)없이 각각 10 km, 80 km를 전송할 수 있었다.
We fabricated the high speed 1.55${mu}{ extrm}{m}$ distributed feedback laser diodes (DFB-LD) using both two-step mesa etching process and semi-insulating InP current blocking layers. The devices characteristics were threshold current of ~15mA, slope efficiency of ~0.13mW/mA, and dynamic resistance of ~6.0Ω, with as-cleaved facets. The fabricated DFB-LD showed the single longitudinal mode with more than 40dB up to 6 $I_{th}$(CW condition), emitting at the wavelength of 0.546${mu}{ extrm}{m}$. The -3dB bandwidth was >10㎓ at the driving current of 27mA, and the maximum -3dB bandwidth was ~18㎓ at 90 mA current, showing the superior frequency response of SI-PBH DFB-LD. In the 10Gb/s transmission experiment for 1.55${mu}{ extrm}{m}$ DFB-LD module, maximum 10 km of single mode fiber(SMF) or 80 km of dispersion shifted fiber (DSF) could be transmitted with error free.