- $Pb(Zr, Ti)O_3$강유전체 박막의 스퍼터링 증착과 후속열처리
- ㆍ 저자명
- 장지근,박재영,윤진모,임성규,장호정
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 1997년|6권 1호|pp.36-43 (8 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판상에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방식으로 PZT 박막[두께:3000 $AA$]을 증착하고 RTA방식으로 후속 열처리[열처리온도:$550^{circ}C$~$650^{circ}C$, 열처리 시간:10초~50 초]를 실시하여 직경 0.2mm소자의 FECAPs(ferroelectric capacitors)를 제작하였다. 제작된 커패시터의 유전상수($varepsilon_r$)와 잔류분극($2P_r$)은 $650^{circ}C$로 30초간 열처리한 시편에서 $varepsilon_r$ (1kHz)=690, 2Pr(-5V~5V sweep)=22$muC/ extrm{cm}^2$로 가장 높게 나타났으며 유전정접(tan $delta$)과 누설전류(Jl)는 $600^{circ}C$에서 30초간 열처리한 시편에서 $tandelta(ge10kHz)le0.02, ; J_i(5V)=3mu extrm{A}/ extrm{cm}^2$로 가장 낮게 나타났다.
FECAPS(ferroelectric capacitors) have been fabricated by RF magnetron sputtering deposition of 3000$AA$ PZT thin films on the Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates and post-annealing with the temperature of $550^{circ}C$~$650^{circ}C$ for 10 sec~50 sec in a RTA system. The electrical characteristics of the fabricated capacitors showed the highest dielectric constant and remanent polarization[${varepsilon_r(1kHz)$=690, $2P_r$(-5V~5V sweep)=22$mu$C/$ extrm{cm}^2$] in the samples annealed at $650^{circ}C$ for 30 sec, while the lowest tangent loss and leakage current [$tandelta(ge10kHz)le0.02, ; J_i(5V)=3mu extrm{A}/ extrm{cm}^2$]in the samples annealed at $600^{circ}C$ for 30 sec.