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중 에너지 이온산란 분광장치의 제작 및 성능 평가
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  • 중 에너지 이온산란 분광장치의 제작 및 성능 평가
저자명
김현경,문대원,김영필,이재철,강희재
간행물명
韓國眞空學會誌
권/호정보
1997년|6권 1호|pp.97-102 (6 pages)
발행정보
한국진공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

이온-고체 표면 사이의 상호작용에 관한 연구를 수행하기 위하여 중 에너지 이온산 란 분광장치를 개발하였고 그 특성 평가를 수행하였다. 제작된 MEIS의 에너지 분해능은 $4 imes 10^{-3}$으로 측정되었다. MEIS의 표면분석의 응용으로 60keVH+을 $Ta_2O_5$(300$AA$)/Si에 적용하 여 에너지 손실인자와 깊이분해능을 얻은 결과는 42eV/$AA$와 9.7$AA$이었다. 또한, Si(100)표면 에 97.5KeV$H^+$이온을 random방향으로 입사시켜 이차원 스펙트럼을 얻었다.

기타언어초록

A medium energy ion scattering spectroscopy(ME1S) system has been developed and tested.In the MEIS system a toroidal electrostatic energy analyzer(TEA) and a two dimensional position sensitivedetector(PSD) were used. The energy resolution of MEIS system was estimated to be less than $4 imes 10^{-3}$ and the overall angular resolution was less than 0.3". From the MEIS spectrum of $Ta_2O_5$(300 $AA$)/ onSi analyzedousing 60 keV $H^+$, the energy loss factor(S.1 and depth resolution were estimated to he 42 eV/$AA$ and 9.7 $AA$, respectively. Also Si(100) surface was analyzed using the MEIS system. A random MElSspectrum was obtained from thc Si(100) covered with native oxide layers. At the double alignment condition, MElS spectrum showed ;i Si surface peak, a oxygen peak and a carbon peak.nd a carbon peak.