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Cu-Ni 박막 스트레인 게이지를 이용한 다이어프램식 압력 센서-I: Cu-Ni 박막 스트레인 게이지 개발
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  • Cu-Ni 박막 스트레인 게이지를 이용한 다이어프램식 압력 센서-I: Cu-Ni 박막 스트레인 게이지 개발
  • Diaphragm-Type Pressure Sensor with Cu-Ni Thin Film Strain Gauges-I: Development of Cu-Ni Thin Film Strain Gauges
저자명
민남기,이성래,김정완,조원기
간행물명
電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
권/호정보
1997년|10권 9호|pp.938-944 (7 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Cu-Ni thin film strain gauges for diaphragm-type pressure sensors were developed. Thin films of Cu-Ni alloys of various compositions were deposited onto glass and stainless steel substrates by RF magnetron sputtering. The effects of composition substrate temperature Ar partial pressure and aging on the electrical properties of Cu-Ni film strain gauges in the thickness range 500~2000$AA$ are discussed. The maximum resistivity(95.6 $mu$$Omega$cm) is obtained from 53wt%Cu-47wt%Ni films while the temperature coefficient of resistance(TCR) becomes minimum(25.6ppm/$^{circ}C$). The gauge factor is about 1.9.