C-축으로 배향된 고품질 $YBa_{2}Cu_{3}O_{7}$ 박막을 펄스레이저 증착법으로 $SrTiO_{3}$(100) 기판위에 제작하였다. STO 기판을 고온 산소열처리로 원시세포 높이의 테라스가 발달한 atomic-flat한 표면상태로 가공하였으며, 이 기판위에 최적의 조건에서 증착된 $YBa_{2}Cu_{3}O_{7}$ 박막은 원시세포단위로 층상으로 적층 성장됨을 알 수 있었다. 이러한 박막은 임계온도${ge}90$ K, 전이폭${le}0.6$ K, 상온비저항${sim}300{mu}{Omega}cm$, 잔류저항${sim}0$ 및 임계전류밀도${sim}4.6{ imes}10^{6}A/cm^{2} $의 초전도 특성을 나타내었다.
High quality c-axis oriented $YBa_{2}Cu_{3}O_{7}$ films were prepared using the pulsed laser deposition on $SrTiO_{3}$(100) substrate. The atomically smooth $SrTiO_{3}$surface with terraces one unit cell in height could be obtained by a high temperature annealing. $YBa_{2}Cu_{3}O_{7}$ thin films deposited on the substrates exhibited layer-by-layer growth with a c-axis unit cell height. $YBa_{2}Cu_{3}O_{7}$ thin films thus prepared showed critical temperature ${ge}90$ K with transition width ${le}0.6$ K, room temperature resistivity of ${sim}300{mu}{Omega}cm$, and critical current density ${sim}4.6{ imes}10^{6}A/cm^{2}$ at 77 K.
