매립형 InGaAnP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상의 최적화에 대한 연구를 수행하였다. Double heterostructure 레이저 다이오드 구조의 1차 성장은 액상 에피 성장 장치를 이용하였으며, 메사 에칭하였다. 활성층을 [110] 방향으로 선택적으로 에칭 한 후, 액상 에피 성장 장치를 이용하여 질량 이동 현상을 발생시켜 매립형 구조를 형성시켰다. 질량 이동 현상의 임계온도는 40분간 유지시켰을 때 $670^{circ}C$로 나타났으며 재현성 있게 질량 이동 현상이 발생하였다. 질량 이동 현상에 의해 성장된 층의 폭은 온도증가에 따라 약간 증가하였다.
The conditions for optimizing mass transport for making buried heterostructure (BH) InGaAsP/lnP lasers are discussed. The double heterostructure InGaAsP/lnP laser structures were grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) and etched into mesas. The active layer was selectively etched along [llO] and the mass transport was carried out in the LPE reactor to cover the sides of the active layer and form a BH structure. The threshold temperature for the appreciable mass transport is measured to be 670$670^{circ}C$ when the holding time is set to 40 min. The width of the region re¬filled by mass transport is observed to increase as the temperature increases.
