- 열처리에 따른 W 박막과 6H-SiC의 계면반응에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 신양수,이병택,Shin. Yang-Soo,Lee. Byung-Taek
- ㆍ 간행물명
- 한국재료학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1998년|8권 6호|pp.545-550 (6 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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6H-SiC와 W의 계면에서 열처리에 따라 일어나는 반응을 X-선 회절분석 및 투과전자현미경을 이용하여 분석하였다. 연구결과 $900^{circ}C$까지 새로운 상의 형성은 없었고, $1100^{circ}C$와 $1300^{circ}C$에서 $W_5Si_3$와 $W_2C$가 형성되어 서로 혼재되어 있으며 반응하지 않은 W은 없음을 관찰하였다. 이는 이미 보고된 W/$eta$-SiC의 경우와 일치하는 결과로서 이 온도영역에서 $W_5Si_3$와 $W_2C$가 안정상임을 시사하고 있다.
Phase reactions at W /6H- SiC interfaces during heat treatments were investigated by X- Ray diffractometer and transmission electron microscopy. No detectable reactions were found after annealing at up to 900$0^{circ}C$ whereas formation of $W_5Si_3$ and $W_2C$