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깨끗한 Si(001) 표면의 buckled dimer 구조 연구 : $a(2 imes1)과; c(4 imes2)$
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  • 깨끗한 Si(001) 표면의 buckled dimer 구조 연구 : $a(2 imes1)과; c(4 imes2)$
저자명
김성수,김용욱,박노길,조원석,조원석,김주영,채근화,황정남,김기석
간행물명
韓國眞空學會誌
권/호정보
1998년|7권 1호|pp.5-10 (6 pages)
발행정보
한국진공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

CAICISS장치를 이용하여 깨끗한 Si(001) 표면에서 재배열하는 dimer의 원자구조를 분석하였다. Si(001) 표면에서 dimer원자가 확실히 buckled되어 있음을 확인하였고, asymmetry(2$ imes$1)구조와 c(4$ imes$2)구조가 공존하고 있음을 밝혔다. dimer원자의 결합거리는 2.3$pm$0.1$AA$이고, buckling각은 18$pm$$1^{circ}$였다.

기타언어초록

The geometric structure of dimer atoms on clean Si(001) surface was studied using CAICISS. We confirmed that dimer atoms were certainly buckled, and also found that asymmetry (2$ imes$1) and c(4$ imes$2) were coexisted. The intradimer bond length and the buckling angle of a dimer measured by CAICISS system were 2.3$pm$0.1 $AA$ and 18$pm$$1^{circ}$, respectively.