CuO-Bi$_2$O$_3$-V$_2$O$_{5}$ 삼성분계 유리 시편을 열처리 시간과 온도를 달리하여 열처리 하였을 때, 열처리된 시편의 결정화 거동 및 전기전도도 특성을 조사하였다. 여러 조성의 시편들 가운데 31CuO-14Bi$_2$O$_3$-55V$_2$O$_{5}$ (mol%)의 조성을 가진 시편이 상온에서 가장 높은 전기 전도도를 나타내었고, 이 시편을 358$^{circ}C$에서 8h동안 열처리하여 결정화 시켰을 때, 고체 전해질용으로서는 매우 높은 전기 전도도 값인 2.67$ imes$$10^{-2}$ $Omega$$^{-1}$ $cm^{-1}$ /를 나타내었다. 유리상의 시편을 열처리 하였을 때 열처리된 시편은 BiVO$_4$ 및 CuvVO$_3$결정의 형성과 성장이 이루어지면서 전기 전도도가 비열처리 시편에 비하여 $10^3$-$10^4$배 크기로 증가하였다.
The crystallization behaviors and electrical conductivities of the glasses heat-treated at various times and temperatures in the CuO-Bi$_2$O$_3$-V$_2$O$_{5}$ glass system were investigated. Among glass samples with various compositions, the highest conductivity obtained in the 31CuO-14Bi$_2$O$_3$-55V$_2$O$_{5}$ (mol%) glass sample. The 31CuO-14Bi$_2$O$_3$-55V$_2$O$_{5}$ (mol%) glass sample crystallized by heat treatment at 358$^{circ}C$ for 8h had 2.67$ imes$10$^{-2}$ $Omega$$^{-1}$ $cm^{-1}$ /, which was much high value as a solid electrolyte. Compared to the glass sample, the heat- treated glass sample was increased in conductivity by an order of 10$^3$-10$^4$due to the formation and growth of BiVO$_4$ and CuVO$_3$crystals.
