기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
CMOS 선형 가변 트랜스컨덕터
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • CMOS 선형 가변 트랜스컨덕터
  • A CMOS Linear Tunable Transconductor
저자명
임태수,최태섭,사공석진
간행물명
電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. C
권/호정보
1998년|11호|pp.57-62 (6 pages)
발행정보
대한전자공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

본 논문에서는 넓은 입력 전압 범위에 걸쳐 좋은 선형성을 보여주는 가변 트랜스컨덕터를 제안한다. 제안된 트랜스컨덕터는 선형 영역에서 동작하는 입력 MOS 트랜지스터를 사용하여 회로의 구성이 간단하고 좋은 가변성을 갖고 6.8Vp-p의 넓은 입력범위를 갖는다. 또한 소오스-결합 차동쌍을 이용하여 실질적인 차동입력을 제공하고 정과 부의 트랜스컨덕턴스 값을 제공한다. 제안된 회로는 1.2㎛ single poly double metal n-well CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 제안된 회로의 THD 특성은 VDD=-Vss=5V, IB=20, 40μA이고 입력 신호 주파수가 1KHz일 때 6Vp-p의 차동 입력전압에 대해 1% 미만임을 보여준다.

기타언어초록

In this paper, tunable transconductor shows good linearity over a wide input voltage range are proposed. The proposed transconductor employ operating in the nonsaturation(ie., linear) region to improve circuit simplicity and tunability and 6.8V$\_$p-p/ wide input range. Also the circuit employ source-coupled differential pair to provide true differential input and can achieve both positive and negative transconductance values. The proposed circuits are implemented using a 1.2 $mu extrm{m}$ single poly double metal n-well CMOS technology. The THD characteristic of proposed circuit is less than 1% for a differential input voltage of up to 6V$^$p-p/ when supply bias condition is V$\_$DD/=-V$\_$ss/=5V, I$\_$B/=20, 40${mu}$A, and frequency of input signal is 1KHz.