Hot carrier 스트레스후의 RF-nMOSFET의 DC 및 RF 특성열화를 분석하기 위해 기존의 열화 모델을 적용하였다. 드레인전류 열화보다 차단주파수 열화가 심하였으며 RF-nMOSFET의 열화변화율 n과 열화변수 m은 기존의 bulk MOSFET의 것과 같았다. Multi-finger 게이트 소자에서 finger수가 많을수록 열화가 적게 된 것은 큰 소스/드레인의 저항과 포화전압에 의한 것임을 알 수 있었다. 스트레스의 후의 RF성능 저하는 gm과 Cgd의 감소와 gds의 증가에 의한 것임을 알 수 있었다. 기판전류를 측정하므로 RF소자의 DC 및 RF특성 열화를 예견할 수 있었다.
The general degradation model has been applied to analyze the hot carrier induced degradation of the DC and RF characteristics of RF-nMOSFET. The degradation of cut-off frequency has been severer than the degradation of bulk MOSFET drain current. The value of the degradation rate n and the degradation parameter m for RF-nMOSFET has been equal to those for bulk MOSFET. The decrease of device degradation with the increase of fingers could be explained by the large source/drain parasitic resistance and drain saturation voltage. It has been also found that the RF performance degradation could be explained by the decrease of $g_{m}$ and $C_{gd}$ and the increase of $g_{ds}$ after stress. The degradation of the DC and RF characteristics of RF-nMOSFET could be predicted by the measurement of the substrate current.t.
