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$CdIn_2S_4$ 및 $CdIn_2S_4 : Co^{2+}$ 단결정의 광학적 특성
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  • $CdIn_2S_4$ 및 $CdIn_2S_4 : Co^{2+}$ 단결정의 광학적 특성
저자명
최성휴,방태환,김형곤,Choe. Seong-Hyu,Bang. Tae-Hwan,Kim. Hyeong-Gon
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
1999년|48권 5호|pp.296-302 (7 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

$CdIn_2S_4 and CdIn_2S_4 : Co^{2+}$ singlecrystals of thenormal spinel structure were grown by the C.T.R. method. The optical energy band structure of these compounds had a indirect band gap at the fundamental optical absorption band edge. The direct and the indirect energy gaps are found to be 2.325 and2.179eV for $Cdln_2S_4$ , and 2.303 and 2.169eV for $CdIn_2S_4 and CdIn_2S_4 : Co^{2+}$ at 5K, respectivly. The fundamental absorption band edge of these single crystals shift to a shorter wavelength region with decreasing temperature, and the temperature dependence of the optical energy gaps in these compounds satisfy Varshni equation. The Varshni constants$alpha and eta$ of the direct energy gap are given by $13.39{ imes}10_{-4}eV/K$ and 509 K for $Cdln_2S_4$ and $29.73{ imes}10_{-4} eV/K$ and 1398K for $CdIn_2S_4 and CdIn_2S_4 : Co^{2+}$. The Varshni constants ${alpha}and {eta}$ of the indirect energy gap are given by 9.68${ imes}10^{-4}$ eV/K 308K for $Cdln_2S_4$ and $13.33{ imes}10_{-4}eV/K$ and 440K for $CdIn_2S_4 : Co^{2+}$ respectivly. The impurity optical absorption peaks due to cobalt dopant are observed in $CdIn_2S_4 : Co^{2+}$ single crystal. These impurity optical absorption peaks can be attributed to the electronic transitions between the split energy levels of $Co_{2+}$ ions located at $T_d$ symmetry site of $Cdln_2S_4$ host lattece.