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ZnS:Cu를 이용한 후막 전계발광소자의 고휘도 특성
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  • ZnS:Cu를 이용한 후막 전계발광소자의 고휘도 특성
저자명
이종찬,박대희,Lee. Jong-Chan,Park. Dae-Hui
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
1999년|48권 5호|pp.349-353 (5 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this paper, to fabricate the AC power electroluminescent device (PELD) with high brightness, new structure that constructed single emissive layer between electrodes was proposed. Dielectric and phosphor material structure that constructed single emissive layer between electrodes was proposed. Dielectric and phosphor material were BaTiO3 and ZnS:Cu respectively. Fabricated AC power EL devices were estimated by optical and electrical properties of EL spectrum, brightness, CIE coordinate system, transferred charge density and EL emission wave in time domain. With above results, we found that brightness of newly proposed AC powder EL power EL device was 2754 cd/m2 at 100V, 400 Hz and compared with conventional device structure.