기관회원 [로그인]
소속기관에서 받은 아이디, 비밀번호를 입력해 주세요.
개인회원 [로그인]

비회원 구매시 입력하신 핸드폰번호를 입력해 주세요.
본인 인증 후 구매내역을 확인하실 수 있습니다.

회원가입
서지반출
쵸크랄스키법에 의한 $Bi_4Ge_3O_{12}$ 단결정 육성 및 화학조성이 광학적 성질에 미치는 영향
[STEP1]서지반출 형식 선택
파일형식
@
서지도구
SNS
기타
[STEP2]서지반출 정보 선택
  • 제목
  • URL
돌아가기
확인
취소
  • 쵸크랄스키법에 의한 $Bi_4Ge_3O_{12}$ 단결정 육성 및 화학조성이 광학적 성질에 미치는 영향
  • $Bi_4Ge_3O_{12}$ Crystal Growth by Czochralski Method and the Effect of Composition on Optical Properties
저자명
배인국,황진명
간행물명
한국결정학회지
권/호정보
1999년|10권 1호|pp.39-44 (6 pages)
발행정보
한국결정학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

주파수 무선센서에 의한 자동직경제어방식으로 쵸크랄스키법에 의해 Bi4Ge3O12 단결정을 육성하였다. Bi4Ge3O12의 화학양론적 조성으로부터 Bi2O3와 GeO2의 조성비를 변화시키면서 단결정을 육성하였다. 광학적인 투과도 조사결과, 화학양론적 조성에서 가장 우수한 투과도를 나타내었고 과잉의 Bi2O3에서는 투과도가 현저히 낮아졌다. 또한 육성된 단결정의 결함밀도는 ∼1×103/cm2이었다.