- 다공질 규소의 비선형 광학감수율 측정
- ㆍ 저자명
- 조창호,서영석,김영유
- ㆍ 간행물명
- 한국광학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1999년|10권 4호|pp.289-293 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국광학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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제 2고조파 발생으로부터 다공질 규소의 표면에서 비션형 광학감수율 ${chi}^{(2)}_{zzz}$을 측정한 결과 그 크기는 단결정 규소에 비하여 약 100배 증가한 $1.04{ imes}10_{-7}$ esu 임을 얻었으며, 다공질 질소 위에 흡착된 분자의 방향이 ${16.8}^{circ}$로 관측되었다.
The nonlinear susceptibilities of the porous silicon surface were determined from the second harmonic generation. The value of nonlinear susceptibility, ${chi}^{(2)}_{zzz}$ was $1.04{ imes}10_{-7}$ esu which had an intensity of two orders of magnitude greater than that of silicon crystal wafers. The orientation angle of absorbed molecules on the porous silicon surface was ${16.8}^{circ}$.