- 염소 플라즈마를 이용한 알루미늄 식각 공정이 저유전상수 층간절연막 polyimide에 미치는 영향
- ㆍ 저자명
- 문호성,김상훈,이홍구,우상균,김경석,안진호
- ㆍ 간행물명
- 마이크로전자 및 패키징 학회지
- ㆍ 권/호정보
- 1999년|6권 1호|pp.75-79 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국마이크로전자및패키징학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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차세대 저유전상수 층간 절연막중 하나로 대두되고 있는 polyimide를 플라즈마에 노출시키고 이때 나타나는 전기적 특성변화를 살펴보았다. polyimide를 알루미늄 식각시 사용되고 있는 Cl-based 플라즈마에 노출시켰을때 유전상수가 약간 증가함을 볼 수 있었고, F-based 플라즈마로 $SF_{6}$ 플라즈마에 노출시켰을 때는 유전상수 감소를 볼 수 있었다. 이는 fluorine또는 chlorine bond의 생성과 관련된 것으로 FTIR과 XPS분석을 통해 확인할 수 있었다. 따라서 Cl-based 플라즈마로 알루미늄 식각 후 $SF_{6}$플라즈마에 노출시킴으로써 이 부식문제의 해결뿐만 아니라 po1yimide의 유전상수도 낮출 수 있으리라 기대된다.
We have studied electrical properties of polyimide for the next generation interlayer low dielectric during plasma etching. Dielectric constant of polyimide exposed to Cl-based plasma, which is used in aluminum etching, increased, while that of polyimide exposed to $SF_{6}$ plasma decreased. The results are related to fluorine or chlorine bonds as examined by FTIR ana XPS analyses. So, we expect that Cl-based 1)miasma etching of aluminum followed by $SF_{6}$ plasma exposure results in the prevention of post-etch corrosion and decrease of dielectric constant.